Tottereau, O.: шукати на сайті Z-Library

physica status solidi (c)

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 585 KB

english, 2007

Realization of AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC/Si(111) substrates

Y. Cordier, M. Portail, S. Chenot, O. Tottereau, M. Zielinski, T. Chassagne

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 158 KB

english, 2008

Growth and Characterization of AlGaN/GaN HEMT Structures on 3C-SiC/Si(111) Templates

Cordier, Yvon, Portail, Marc, Chenot, Sébastien, Tottereau, Olivier, Zielinski, Marcin, Chassagne, Thierry

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.99 MB

english, 2009

Growth of AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC/Si(111) Substrates

Cordier, Yvon, Portail, Marc, Chenot, Sébastien, Tottereau, Olivier, Zielinski, Marcin, Chassagne, Thierry

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.27 MB

english, 2008

Study of (Al,Ga)N Bragg Mirrors Grown on Al2O3(0001) and Si(111) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

H.P.D. Schenk, E. Feltin, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Laügt, M. Vaille, B. Beaumont, P. de Mierry, P. Gibart, S. Fernández, F. Calle

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2001

Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns

Y. Cordier, F. Semond, J-C. Moreno, E. Frayssinet, B. Benbakhti, Z. Cao, S. Chenot, L. Nguyen, O. Tottereau, A. Soltani, K. Blary

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 526 KB

english, 2009

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs grown by MBE on Si(1 1 1)

Y. Cordier, F. Semond, M. Hugues, F. Natali, P. Lorenzini, H. Haas, S. Chenot, M. Laügt, O. Tottereau, P. Vennegues, J. Massies

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 216 KB

english, 2005

Alumina-rich spinel: A new substrate for the growth of high quality GaN-based light-emitting diodes

F. Tinjod, P. de Mierry, D. Lancefield, Z. Bougrioua, S. Laügt, O. Tottereau, P. Lorenzini, S. Chenot, E. Virey, M.R. Kokta, J.L. Stone-Sundberg, D. Pauwels

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 440 KB

english, 2005

Subsurface Fe-doped semi-insulating GaN templates for inhibition of regrowth interface pollution in AlGaN/GaN HEMT structures

Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, Z. Bougrioua, S. Chenot, O. Tottereau, J. Massies, P. Gibart

Журнал:

Yvon Cordier, Marc Portail, Sébastien Chenot, Olivier Tottereau, Marcin Zielinski, Thierry Chassagne

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 394 KB

english, 2008

AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on 3C-SiC/Si(1 1 1)

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 969 KB

english, 2008

Strain engineering in GaN layers grown on silicon by molecular beam epitaxy: The critical role of growth temperature

Y. Cordier, N. Baron, S. Chenot, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Leroux, F. Semond, J. Massies

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 420 KB

english, 2009

Heteroepitaxial growth of thin InAs layers on GaAs(1 0 0) misoriented substrates: A structural and morphological comparison

H. Ben Naceur, I. Moussa, O. Tottereau, A. Rebey, B. El Jani

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 474 KB

english, 2009

Structural and electronic properties of ZnMgO/ZnO quantum wells

C. Morhain, X. Tang, M. Teisseire-Doninelli, B. Lo, M. Laügt, J.-M. Chauveau, B. Vinter, O. Tottereau, P. Vennéguès, C. Deparis, G. Neu

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.02 MB

english, 2005

Growth by molecular beam epitaxy of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si-on-polySiC

Y. Cordier, S. Chenot, M. Laügt, O. Tottereau, S. Joblot, F. Semond, J. Massies, L. Di Cioccio, H. Moriceau

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 361 KB

english, 2006

AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon (001) substrates by molecular beam epitaxy

S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, S. Chenot, P. Vennéguès, O. Tottereau, P. Lorenzini, J. Massies

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 353 KB

english, 2006

Optimisation of AlN and GaN growth by metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE) on Si (1 1 1)

H Lahrèche, P Vennéguès, O Tottereau, M Laügt, P Lorenzini, M Leroux, B Beaumont, P Gibart

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.15 MB

english, 2000

Three-dimensionally nucleated growth of gallium nitride by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy

H.P.D. Schenk, P. Vennéguès, O. Tottereau, T. Riemann, J. Christen

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 888 KB

english, 2003

Silicon effect on GaN surface morphology

Z Benzarti, I Halidou, O Tottereau, T Boufaden, B El Jani

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 529 KB

english, 2002

Realization of AlGaN/GaN HEMTs on Si-on-polySiC substrates

Yvon Cordier, Sébastien Chenot, Marguerite Laügt, Olivier Tottereau, Sylvain Joblot, Fabrice Semond, Jean Massies, Léa Di Cioccio, Hubert Moriceau

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 198 KB

english, 2007

Growth of GaN based structures on focused ion beam patterned templates

Y. Cordier, O. Tottereau, L. Nguyen, M. Ramdani, A. Soltani, M. Boucherit, D. Troadec, F.-Y. Lo, Y. Y. Hu, A. Ludwig, A. D. Wieck

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 782 KB

english, 2011

X-ray and transmission electron microscopy characterization of twinned CdO thin films grown ona-plane sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy

M.C. Martínez-Tomás, J. Zúñiga-Pérez, P. Vennéguès, O. Tottereau, V. Muñoz-Sanjosé

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 334 KB

english, 2007

Imaging and counting threading dislocations in c-oriented epitaxial GaN layers

Khoury, M, Courville, A, Poulet, B, Teisseire, M, Beraudo, E, Rashid, M J, Frayssinet, E, Damilano, B, Semond, F, Tottereau, O, Vennéguès, P

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.69 MB

english, 2013

In situ growth monitoring of distributed GaNâAlGaN Bragg reflectors by metalorganic vapor phase epitaxy

Schenk, H. P. D., de Mierry, P., VenneÌgueÌs, P., Tottereau, O., LauÌgt, M., Vaille, M., Feltin, E., Beaumont, B., Gibart, P., FernaÌndez, S., Calle, F.

Журнал:

Alloing, B., VeÌzian, S., Tottereau, O., VenneÌgueÌs, P., Beraudo, E., Zuniga-PeÌrez, J.

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 305 KB

english, 2002

On the polarity of GaN micro- and nanowires epitaxially grown on sapphire (0001) and Si(111) substrates by metal organic vapor phase epitaxy and ammonia-molecular beam epitaxy

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 858 KB

english, 2011

GaN/Al0.5Ga0.5N (11-22) semipolar nanostructures: A way to get high luminescence efficiency in the near ultraviolet range

Kahouli, A., Kriouche, N., Brault, J., Damilano, B., VenneÌgueÌs, P., de Mierry, P., Leroux, M., Courville, A., Tottereau, O., Massies, J.

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.10 MB

english, 2011

Relaxation mechanisms in metal-organic vapor phase epitaxy grown Al-rich (Al,Ga)NâGaN heterostructures

VenneÌgueÌs, P., Bougrioua, Z., Bethoux, J. M., Azize, M., Tottereau, O.

Журнал:

International Journal of Nanotechnology

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2005

Fabrication and growth of GaN-based micro and nanostructures

Alloing, Blandine, Beraudo, Emmanuel, Cordier, Yvon, Semond, Fabrice, Sergent, Sylvain, Tottereau, Olivier, Venné, P., guè, N.A., s, N.A., Sté, N.A., Vé, phane, zian, N.A., Jesú, N.A., Zú, s, ñ, N.A.,

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.63 MB

english, 2012

Correlation between threading dislocation density and the refractive index of AlN grown by molecular-beam epitaxy on Si(111)

Natali, F., Semond, F., Massies, J., Byrne, D., Laügt, S., Tottereau, O., Vennéguès, P., Dogheche, E., Dumont, E.

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 460 KB

english, 2003

Growth of high quality crack-free AlGaN films on GaN templates using plastic relaxation through buried cracks

Bethoux, J.-M., Vennéguès, P., Natali, F., Feltin, E., Tottereau, O., Nataf, G., De Mierry, P., Semond, F.

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 1005 KB

english, 2003

Investigation of AlN films grown by molecular beam epitaxy on vicinal Si(111) as templates for GaN quantum dots

Benaissa, M., Vennéguès, P., Tottereau, O., Nguyen, L., Semond, F.

Журнал:

Journal of Alloys and Compounds

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 505 KB

english, 2006

Effect of TMBi supply on low-temperature MOVPE growth behavior of GaN

Saidi, C., Chaaben, N., Laifi, J., Sekrafi, T., Tottereau, O., Bchetnia, A., El Jani, B.

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.03 MB

english, 2015

Surface segregation in (Ga,In)As/GaAs quantum boxes

Grandjean, N., Massies, J., Tottereau, O.

Журнал:

Physical Review B

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 449 KB

english, 1997

The critical role of growth temperature on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on Si(111)

N. Baron, Y. Cordier, S. Chenot, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Leroux, F. Semond, J. Massies

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.17 MB

english, 2009

Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Schenk, H. P. D., Feltin, E., Laügt, M., Tottereau, O., Vennéguès, P., Doghèche, E.

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2003

Study of the growth mechanisms of GaN/(Al, Ga)N quantum dots: Correlation between structural and optical properties

Sergent, S., Damilano, B., Huault, T., Brault, J., Korytov, M., Tottereau, O., Vennéguès, P., Leroux, M., Semond, F., Massies, J.

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.07 MB

english, 2011

Long wavelength GaInNAs/GaAs quantum-well heterostructures grown by solid-source molecular-beam epitaxy

Tournié, E., Pinault, M.-A., Vézian, S., Massies, J., Tottereau, O.

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 286 KB

english, 2000

High Quality GaN on Si(111) using (AlN/GaN)x Superlattice and Maskless ELO

Lahrèche, H., Bousquet, V., Laügt, M., Tottereau, Olivier, Vennéguès, P., Beaumont, B., Gibart, Pierre

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2000

Файл:

PDF, 337 KB

2000

Full Si Wafer Conversion into Bulk 3C-SiC

Leycuras, André, Tottereau, Olivier, Vicente, Patrice, Falkovsky, L.A., Girard, P., Camassel, Jean

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 406 KB

2002

Microstructure of GaN Grown on (1120) Sapphire

Ruterana, P., Wickenden, A. E., Twigg, M. E., Koleske, D.D., Henry, R. L., Tottereau, O.

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 2000

Investigation of Al y Ga 1− y N/Al 0.5 Ga 0.5 N quantum dot properties for the design of ultraviolet emitters

Brault, Julien, Matta, Samuel, Ngo, Thi-Huong, Korytov, Maxim, Rosales, Daniel, Damilano, Benjamin, Leroux, Mathieu, Vennéguès, Philippe, Al Khalfioui, Mohamed, Courville, Aimeric, Tottereau, Olivier,

Журнал:

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2016

Ion-induced interdiffusion of surface GaN quantum dots

Rothfuchs, Charlotte, Semond, Fabrice, Portail, Marc, Tottereau, Olivier, Courville, Aimeric, Wieck, Andreas D., Ludwig, Arne

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.34 MB

english, 2017

Evolution and prevention of meltback etching: Case study of semipolar GaN growth on patterned silicon substrates

Khoury, Michel, Tottereau, Olivier, Feuillet, Guy, Vennéguès, Philippe, Zúñiga-Pérez, Jesus

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.78 MB

english, 2017

Impact of sapphire nitridation on formation of Al-polar inversion domains in N-polar AlN epitaxial layers

Stolyarchuk, N., Markurt, T., Courville, A., March, K., Tottereau, O., Vennéguès, P., Albrecht, M.

Журнал:

Ganino, Clément, Libourel, Guy, Nakamura, Akiko M., Jacomet, Suzanne, Tottereau, Olivier, Michel, Patrick

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.37 MB

english, 2017

Impact-induced chemical fractionation as inferred from hypervelocity impact experiments with silicate projectiles and metallic targets

Журнал:

Meteoritics and Planetary Science

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.40 MB

english, 2018

Buried defects induced by plasma assisted molecular beam epitaxy of AlN and GaN on Silicon

Cordier, Yvon, Comyn, Rémi, Tottereau, Olivier, Frayssinet, Eric, Portail, Marc, Nemoz, Maud

Журнал: